美食文化悬浮区熔法主要用于提纯和生长硅单晶其基本原理是:依靠熔体的表面张力使熔区悬浮于多晶硅棒与下方生长出的单晶之间通过

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  、晶体生长硅半导体材料的制备砷化镓晶体的生长技术单晶硅(Monocrystallinesilicon)是一种比较活泼的非金属元素是晶体材料的重要组成部分。硅的单晶体具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质是一种良好的半导材料。纯度要求达到%甚至达到%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。用途:是制造半导体硅器件的原料用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。多晶硅(polycrystallinesilicon)性质:灰色金属光泽。密度~。熔点℃。沸点℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间室温下质脆切割时易碎裂。加热至℃以上即有延性℃时显出明显变形。常温下不活泼高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下具有较大的化学活泼性能与几乎任何材料作用。具有半导体性质是极为重要的优良半导体材料但微量的杂质即可大大影响其导电性。用途:电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。美食文化由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化再经冷凝、精馏、还原而得。非晶硅(amorphoussilicon)非晶硅是一种直接能带半导体它的结构内部有许多所谓的ldquo悬键rdquo也就是没有和周围的硅原子成键的电子这些电子在电场作用下就可以产生电流并不需要声子的帮助因而非晶硅可以做得很薄还有制作成本低的优点。非晶硅的制备:由非晶态合金的制备知道要获得非晶态需要有高的冷却速率而对冷却速率的具体要求随材料而定。硅要求有极高的冷却速率用液态快速淬火的方法目前还无法得到非晶态。近年来发展了许多种气相淀积非晶态硅膜的技术其中包括真空蒸发、辉光放电、溅射及化学气相淀积等方法。一般所用的主要原料是单硅烷(SiH)、二硅烷(SiH)、四氟化硅(SiF)等纯度要求很高。用途:可以制成非晶硅场效应晶体管用于液晶显示器件、集成式amdashSi倒相器、集成式图象传感器、以及双稳态多谐振荡器等器件中作为非线性器件利用非晶硅膜可以制成各种光敏、位敏、力敏、热敏等传感器利用非晶硅膜制做静电复印感光膜不仅复印速率会大大提高而且图象清晰使用寿命长等等。硅化合物的物性特点二氧化硅(SiO):作用:热和电的绝缘体(电阻率Omegacm热导率wcm℃)作为硅刻蚀掩模(KOH中:)作为牺牲层。制备方法有:干、湿氧化、CVD、溅射。碳化硅(SiC):作用:耐高温器件(高温下尺寸和化学性质稳定熔点℃)在KOH、HF中刻蚀保护制备方法:CVD、溅射等各种沉积技术。氮化硅(SiN力学热学特性比SiO好)作用:扩散、离子注入掩模(阻挡水及金属离子扩散)深层刻蚀掩模(超强抗腐蚀能力)绝缘层光波导防止有毒流体侵入的密封材料。CVD法制备。多晶硅(力学热学特性各向同性)作用:电阻、压阻、简易欧姆接触等广泛用途。常用LPCVD法制备。区别晶体非晶体?日常所见到的固体分为非晶体和晶体两大类非晶体物质的内部原子排列没有一定的规律当断裂时断口也是随机的如塑料和玻璃等而称之为晶体的物质外形呈现天然的有规则的多面体具有明显的棱角与平面其内部的原子是按照一定的规律整齐的排列起来所以破裂时也按照一定的平面断开如食盐、水晶等。.区别单晶体和多晶体?有的晶体是由许许多多的小晶粒组成若晶粒之间的排列没有规则这种晶体称之为多晶体如金属铜和铁。但也有晶体本身就是一个完整的大晶粒这种晶体称之为单晶体如水晶和晶刚石。单晶硅和多晶硅的区别当熔融的单质硅凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了一般的半导体器件要求硅的纯度六个以上。大规模集成电路的要求更高硅的纯度必须达到九个。目前人们已经能制造出纯度为十二个的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。.单晶硅与多晶硅光伏电池的比较?单晶硅电池具有电池转换效率高稳定性好但是成本较高。多晶硅电池成本低转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池材料中的各种缺陷如晶界、位错、微缺陷和材料中的杂质碳和氧以及工艺过程中玷污的过渡族金属。晶体生长过程:、融化(MeltDown)此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏度的融化温度之上此阶段中最重要的参数为坩锅的位置与热量的供应若使用较大的功率来融化复晶硅石英坩锅的寿命会降低反之功率太低则融化的过程费时太久影响整体的产能。、颈部成长(NeckGrowth)当硅融浆的温度稳定之后将方向的晶种渐渐注入液中接着将晶种往上拉升并使直径缩小到一定(约mm)维持此直径并拉长cm以消除晶种内的排差(dislocation)此种零排差(dislocationfree)的控制主要为将排差局限在颈部的成长。、晶冠成长(CrownGrowth)长完颈部后慢慢地降低拉速与温度使颈部的直径逐渐增加到所需的大小。、晶体成长(BodyGrowth)利用拉速与温度变化的调整来迟维持固定的晶棒直径所以坩锅必须不断的上升来维持固定的液面高度于是由坩锅传到晶棒及液面的辐射热会逐渐增加此辐射热源将致使固业介面的温度梯度逐渐变小所以在晶棒成长阶段的拉速必须逐渐地降低以避免晶棒扭曲的现象产生。、尾部成长(TailGrowth)当晶体成长到固定(需要)的长度后晶棒的直径必须逐渐地缩小直到与液面分开此乃避免因热应力造成排差与滑移面现象。硅半导体材料的制备多晶硅单晶硅(硅单晶)硅材料硅是地球上储藏最丰富的材料之一从世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后它几乎改变了一切甚至人类的思维。直到上世纪年代开始硅材料就取代了原有锗材料。硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。现在我们的生活中处处可见ldquo硅rdquo的身影和作用晶体硅太阳能电池是近年来形成产业化最快的。多晶硅材料多晶硅材料是以工业硅为原料经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料是信息产业和新能源产业最基础的原材料。多晶硅产品分类、冶金级硅(MG):是硅的氧化物在电弧炉中被碳还原而成。一般含Si为以上高达以上。、太阳级硅(SG):纯度介于冶金级硅与电子级硅之间至今未有明确界定。一般认为含Si在ndash(~个)。、电子级硅(EG):一般要求含Si以上超高纯达到~(~个)。其导电性介于ndash欧厘米。多晶硅应用领域多晶硅是半导体工业、电子信息产业、太阳能光伏电池产业的最主要、最基础的功能性材料。主要用做半导体的原料是制做单晶硅的主要原料可作各种晶体管、整流二极管、可控硅、太阳能电池、集成电路、电子计算机芯片以及红外探测器等。随着近几年我国单晶硅产量以年均的速度增长多晶硅的需求量与日俱增目前供应日趋紧张。预计年产量将达吨消耗多晶硅吨。从单晶硅产品结构看太阳电池用单晶硅产量增长最快预计年将达到吨约需多晶硅吨而国内年仅生产多晶硅吨绝大部分需要进口。从国际市场看国际市场多晶硅需求量在以每年-的速度增长按此增长速度预测年全球多晶硅需求量将达吨年将达吨缺口很大。亚太地区特别是日本、台湾、新加坡、韩国等地都是多晶硅的主要需求地。单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。单晶硅圆片按其直径分为英寸、英寸、英寸(毫米)及英寸(毫米)等。直径越大的圆片所能刻制的集成电路越多芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅材料单晶硅按晶体生长方法的不同分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Phi~英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Phi~英寸。外延片主要用于集成电路领域。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。由于成本和性能的原因直拉法(CZ)单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch-up的能力。单晶硅也称硅单晶是电子信息材料中最基础性材料属半导体材料类。单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域当今全球超过亿美元的电子通信半导体市场中以上的半导体器件及以上的集成电路用硅。概况由硅石粗硅高纯多晶硅(纯度在个ldquordquo以上(%以上)单晶硅粗硅的制备粗硅又称工业硅纯度在%%的硅反应要点高温℃℃原因SiO(s)十C(s)=Si(s)十CO(g)RGmdeg=kJmiddotmRHmdeg=kJmiddotmRSmdeg=JmiddotmolbullK。需高温才能变为RGmdeg=RHmdeg-RSmdeg。粗硅中杂质多可用酸洗法初步提纯高纯硅还需进一步提纯多晶硅生产技术主要有:改良西门子法、硅烷法和流化床法。正在研发的还有冶金法、气液沉积法、重掺硅废料法等制造低成本多晶硅的新工艺。世界上%的多晶硅是采用改良西门子法生产的其余方法生产的多晶硅仅占%。西门子法(三氯氢硅还原法)西门子法(三氯氢硅还原法)是以HCl(或Cl、H)和冶金级工业硅为原料将粗硅(工业硅)粉与HCl在高温下合成为SiHCl然后对SiHCl进行化学精制提纯接着对SiHCl进行多级精馏使其纯度达到个以上其中金属杂质总含量应降到ppba以下最后在还原炉中在℃的硅芯上用超高纯的氢气对SiHCl进行还原而长成高纯多晶硅棒。多晶硅副产品多晶硅生产过程中将有大量的废水、废液排出如:生产吨多晶硅将有三氯氢硅吨、四氯化硅吨废液产生未经处理回收的三氯氢硅和四氯化硅是一种有毒有害液体。对多晶硅副产物三氯氢硅、四氯化硅经过多级精馏提纯等化学处理可生成白炭黑、氯化钙以及用于光纤预制棒的高纯(N)四氯化硅。关于三氯代硅烷(SiHCl)SiHCl的制备多用粗硅与干燥氯化氢在℃以上反应Si十HCl==SiHClH实际反应极复杂除生成SiHCl外还可能生成SiH、SiHCl、SiHCl、SiCl等各种氯化硅烷其中主要的副反应是Si十HCl=SiHCl十SiCl十H性质又称或硅氯仿结构与SiCl相似为四面体型。SiHCl稳定性稍差易水解SiHCl十HO==SiO十HCl十H注意要点()合成温度宜低温度过高易生成副产物。常加少量铜粉或银粉作为催化剂()反应放热常通入Ar或N带走热量以提高转化率()须严格控制无水无氧。因SiHCl水解产生的SiO会堵塞管道造引起事故。而氧气则会与SiHCl或H反应引起燃烧或爆炸SiHCl的提纯精馏利用杂质和SiHCl沸点不同用精馏的方法分离提纯多晶硅的制备精馏提纯后的SiHCl用高纯氢气还原得到多晶硅SiHCl十H==Si十HCl上述反应是生成SiHCl的逆反应。反应得到的多晶硅还不能直接用于生产电子元器件必须将它制成单晶体并在单晶生长过程中ldquo掺杂rdquo以获得特定性能的半导体硅锭的拉制直拉法悬浮区熔法多晶硅浇注法直拉法即切克老斯基法(Czochralski:Cz)直拉法是用的最多的一种晶体生长技术。基本工艺过程:引晶缩颈等径生长收尾降温引晶:通过电阻加热将装在石英坩埚中的多晶硅熔化并保持略高于硅熔点的温度将籽晶浸入熔体然后以一定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体缩颈:生长一定长度的缩小的细长颈的晶体以防止籽晶中的位错延伸到晶体中放肩:将晶体控制到所需直径等径生长:根据熔体和单晶炉情况控制晶体等径生长到所需长度收尾:直径逐渐缩小离开熔体降温:降级温度取出晶体待后续加工太阳能产业联盟放肩最大生长速度晶体生长最大速度与晶体中的纵向温度梯度、晶体的热导率、晶体密度等有关。提高晶体中的温度梯度可以提高晶体生长速度但温度梯度太大将在晶体中产生较大的热应力会导致位错等晶体缺陷的形成甚至会使晶体产生裂纹。为了降低位错密度晶体实际生长速度往往低于最大生长速度。熔体中的对流相互相反旋转的晶体(顺时针)和坩埚所产生的强制对流是由离心力和向心力、最终由熔体表面张力梯度所驱动的。所生长的晶体的直径越大(坩锅越大)对流就越强烈会造成熔体中温度波动和晶体局部回熔从而导致晶体中的杂质分布不均匀等。实际生产中晶体的转动速度一般比坩锅快倍晶体和坩锅彼此的相互反向运动导致熔体中心区与外围区发生相对运动有利于在固液界面下方形成一个相对稳定的区域有利于晶体稳定生长。生长界面形状(固液界面)固液界面形状对单晶均匀性、完整性有重要影响正常情况下固液界面的宏观形状应该与热场所确定的熔体等温面相吻合。在引晶、放肩阶段固液界面凸向熔体单晶等径生长后界面先变平后再凹向熔体。通过调整拉晶速度晶体转动和坩埚转动速度就可以调整固液界面形状。生长过程中各阶段生长条件的差异直拉法的引晶阶段的熔体高度最高裸露坩埚壁的高度最小在晶体生长过程直到收尾阶段裸露坩埚壁的高度不断增大这样造成生长条件不断变化(熔体的对流、热传输、固液界面形状等)即整个晶锭从头到尾经历不同的热历史:头部受热时间最长尾部最短这样会造成晶体轴向、径向杂质分布不均匀。改良的直拉法连续生长技术:为了提高生产率节约石英坩埚(在晶体生产成本中占相当比例)发展了连续直拉生长技术主要是重新装料和连续加料两中技术:重新加料直拉生长技术:可节约大量时间(生长完毕后的降温、开炉、装炉等)一个坩埚可用多次。连续加料直拉生长技术:除了具有重新装料的优点外还可保持整个生长过程中熔体的体积恒定提高基本稳定的生长条件因而可得到电阻率纵向分布均匀的单晶。连续加料直拉生长技术有两种加料法:连续固体送料和连续液体送料法。液体覆盖直拉技术:是对直拉法的一个重大改进用此法可以制备多种含有挥发性组元的化合物半导体单晶。主要原理:用一种惰性液体(覆盖剂)覆盖被拉制材料的熔体在晶体生长室内充入惰性气体使其压力大于熔体的分解压力以抑制熔体中挥发性组元的蒸发损失这样就可按通常的直拉技术进行单晶生长。对惰性液体(覆盖剂)的要求:密度小于所拉制的材料既能浮在熔体表面之上对熔体和坩埚在化学上必须是惰性的也不能与熔体混合但要能浸云晶体和坩埚熔点要低于被拉制的材料且蒸气压很低有较高的纯度熔融状态下透明。广泛使用的覆盖剂为BO:密度gcm软化温度℃在℃时蒸气压仅为Pa透明性好粘滞性也好。此种技术可用于生长GaAs、InP、GaP、GaSb和InAs等单晶。磁控直拉技术在直拉法中氧含量及其分布是非常重要而又难于控制的参数主要是熔体中的热对流加剧了熔融硅与石英坩锅的作用即坩锅中的O,、B、Al等杂质易于进入熔体和晶体。热对流还会引起熔体中的温度波动导致晶体中形成杂质条纹和旋涡缺陷。半导体熔体都是良导体对熔体施加磁场熔体会受到与其运动方向相反的洛伦兹力作用可以阻碍熔体中的对流这相当于增大了熔体中的粘滞性。在生产中通常采用水平磁场、垂直磁场等技术。磁控直拉技术主要用于:制造电荷耦合(CCD)器件和一些功率器件的硅单晶。也可用于GaAs、GaSb等化合物半导体单晶的生长。磁控直拉技术与直拉法相比所具有的优点减少了熔体中的温度浓度。一般直拉法中固液界面附近熔体中的温度波动达℃以上而施加T的磁场其温度波动小于℃。这样可明显提高晶体中杂质分布的均匀性晶体的径向电阻分布均匀性也可以得到提高降低了单晶中的缺陷密度减少了杂质的进入提高了晶体的纯度。这是由于在磁场作用下熔融硅与坩锅的作用减弱使坩锅中的杂质较少进入熔体和晶体。将磁场强度与晶体转动、坩锅转动等工艺参数结合起来可有效控制晶体中氧浓度的变化由于磁粘滞性使扩散层厚度增大可提高杂质纵向分布均匀性有利于提高生产率。采用磁控直拉技术如用水平磁场当生长速度为一般直拉法两倍时仍可得到质量较高的晶体。悬浮区熔法主要用于提纯和生长硅单晶其基本原理是:依靠熔体的表面张力使熔区悬浮于多晶硅棒与下方生长出的单晶之间通过熔区向上移动而进行提纯和生长单晶。特点:不使用坩埚单晶生长过程不会被坩埚材料污染。由于杂质分凝和蒸发效应可以生长出高电阻率硅单晶。多晶硅浇注法用于制备多晶硅太阳电池所用的硅原片它是一种定向凝固法晶体呈现片状生长过程和结构。单晶硅棒的主要技术参数型号P型或A型晶向电阻率ohmcmmdashmdashohmcm电阻率均匀性位错密度无位错OISF密度cm2氧含量根据客户要求lF碳含量ppma主要考面取向密度根据客户要求参数测试电阻率:用四探针法。OISF密度:利用氧化诱生法在高温、高洁净的炉管中氧化再经过腐蚀后观察其密度进行报数。碳含量:利用红外分光光度计进行检测。单晶硅片的制备加工流程切断:目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。切断的设备:内园切割机或外园切割机切断用主要进口材料:刀片外径磨削:由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光芯片所规定的直径规格大通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。外径滚磨的设备:磨床平边或V型槽处理:指方位及指定加工用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。处理的设备:磨床及X-RAY绕射仪。切片:指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄芯片。切片的设备:内园切割机或线切割机倒角:指将切割成的芯片税利边修整成圆弧形防止芯片边缘破裂及晶格缺陷产生增加磊晶层及光阻层的平坦度。倒角的主要设备:倒角机研磨:指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度达到一个抛光过程可以处理的规格。研磨的设备:研磨机(双面研磨)主要原料:研磨浆料(主要成份为氧化铝铬砂水)滑浮液。腐蚀:指经切片及研磨等机械加工后芯片表面受加工应力而形成的损伤层通常采用化学腐蚀去除。腐蚀的方式:(A)酸性腐蚀是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸(HNO)氢氟酸(HF)及一些缓冲酸(CHCOCHHPO)组成。(B)碱性腐蚀碱性腐蚀液由KOH或NaOH加纯水组成。抛光:指单晶硅片表面需要改善微缺陷从而获得高平坦度芯片的抛光。抛光的设备:多片式抛光机单片式抛光机。抛光的方式:粗抛:主要作用去除损伤层一般去除量约在-um精抛:主要作用改善芯片表面的微粗糙程度一般去除量um以下主要原料:抛光液由具有SiO的微细悬硅酸胶及NaOH(或KOH或NHOH)组成分为粗抛浆和精抛浆。清洗:在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除芯片表面所有的污染源。清洗的方式:主要是传统的RCA湿式化学洗净技术。主要原料:HSOHOHFNHHOHHCl硅片监控晶圆切割、砷化镓晶体的生长技术射频半导体工艺mdashmdashGaAs砷化镓的电子迁移速率比硅高倍非常适合用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMTPHEMT)在V电压操作下可以有的功率增加效率(PAE:poweraddedefficiency)非常的适用于高层(hightier)的无线通讯中长距离、长通信时间的需求。砷化镓性质:周期表第III、V族化合物半导体。共价键结合、有一定的离子键成分。立分晶系闪锌矿型结构。密度gcm。熔点℃。导带为双能谷结构为直接带隙半导体室温禁带宽度eV。本征载流子浓度timesm。纯晶体的电子和空穴迁移率为和(~)timesm(Vmiddots)。是制备高频、高温、高辐射、低噪声器件的材料。也是制备近红外发光、激光器件和光电阴极的材料利用其双能谷结构可制作耿氏器件。砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同砷化镓需要采用磊晶技术制造这种磊晶圆的直径通常为英寸比硅晶圆的英寸要小得多。磊晶圆需要特殊的机台同时砷化镓原材料成本高出硅很多最终导致砷化镓成品IC成本比较高。磊晶目前有两种一种是化学的MOCVD一种是物理的MBE。磷化铟(InP)是由ⅢA族元素锢(In)和ⅤA族元素磷(P)化合而成的一种ⅢⅤ族化合物半导体。晶体呈深灰色,分子量。它具有闪锌矿型晶体结构晶格常数A常温下禁带宽度eV直接跃迁型能带结构发射波长mum。主要用来制造微波振荡器、发光和激光器件。InP材料具有电子迁移率高、禁带宽度大、能带结构是直接跃迁和呈现负阻效应等硅、锗材料不具备的特性同时,InP的高电场电子漂移速度比砷化镓高,适合制造高速高频器件。

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  1987年7月11日,地球人口达到50亿,为了纪念这个特殊的日子,1990年联合国根据其开发计划署理事会第36届会议的建议,决定将每年的7月11日定为“世界人口日”,以唤起人们对人口问题的关注。今年已经是“世界人口日”成立的第28年,而在这28年中,人口问题和人口数量也发生了翻天覆地的变化。

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